晶圓硅片紅外均勻加熱

                    

                        
日期：2023-11-03 16:49

                        
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這幾年我們?cè)谔K州，大連以及無(wú)錫的客戶(hù)群體，需要將8寸晶圓外表面均勻加熱到一定溫度，對(duì)加熱要求極高，以實(shí)現(xiàn)加熱后在下一工序中達(dá)到更好的效果。


紅外線(xiàn)加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點(diǎn)，適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶(hù)選用了我們的紅外線(xiàn)輻射加熱器（朗普紅外線(xiàn)加熱數(shù)據(jù)庫(kù)以及光學(xué)運(yùn)算，優(yōu)化了熱源燈絲內(nèi)部發(fā)光體結(jié)構(gòu)、反光板結(jié)構(gòu)以及陣列布燈，使被加熱表面接受均值的紅線(xiàn)輻射能量，有效降低了溫度不均帶來(lái)的不良工藝質(zhì)量問(wèn)題）。


客戶(hù)加熱要求：


1、在直徑φ200加熱范圍內(nèi)溫度均勻性盡量高，溫度一致性≤±6℃


2、出具加熱模擬方案及熱分布模擬結(jié)果報(bào)告。


3、加熱迅速，300秒內(nèi)加熱對(duì)象，能快速升溫200至400℃。


?紅外線(xiàn)加熱拓?fù)鋱D.png


于是我們根據(jù)客戶(hù)需求量身定制了加熱方案：


1，通過(guò)優(yōu)化燈絲熱能分布結(jié)構(gòu)，做到類(lèi)矩形加熱（常規(guī)為雙尖形），減少中間聚熱，兩頭冷的不均勻熱場(chǎng)現(xiàn)象；


2，并通過(guò)朗普數(shù)據(jù)庫(kù)+光學(xué)運(yùn)算，得出陣列布燈距高比；


3，通過(guò)背面弧形光學(xué)反光曲率設(shè)計(jì)，進(jìn)一步修正輻照?qǐng)龅木鶆蚨龋?/span>


4，通過(guò)電控系統(tǒng)和非接觸式測(cè)溫探頭，進(jìn)行閉環(huán)控制，進(jìn)一步減少溫度過(guò)沖或者加熱不足導(dǎo)致的工藝問(wèn)題。


硅片加熱 (1).jpg




                    

                

            


        

    

    

                
        


        
                
        


    










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